半導體元件可靠度簡介--熱載子效應

推薦分享

Share

資源連結

連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)

後設資料

資料識別:
A97024052
資料類型:
期刊論文
著作者:
王泰和(Wang, Tai-ho)
主題與關鍵字:
熱載子效應 介質崩潰時間 電子遷移 撞擊游離 平均自由路徑 能障 Hot carrier effect Time dependent dielectric breakdown TDDB Electromigration Impact lonization Mean free path Barrier height
描述:
來源期刊:電腦與通訊
卷期:62 民86.09
頁次:頁53-58
日期:
19970900
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

引用這筆典藏 引用說明

引用資訊
直接連結

評分與驗證

請為這筆數位資源評分

star star star star star

推薦藏品

行動數位生活技術研發計畫成果與展望
美學、民族誌與文學的文化功能:專訪嘉...
中醫藥對慢性病毒性肝炎療效評估之研究
如何妥善因應及減少慢性C型肝炎病患在...
總計畫:中藥材輻射滅菌劑量之評估研究...
傳統骨科中藥材骨碎補對骨母細胞之生理...