Ohmic Contacts and Reactive Ion Beam Etching for P-Type GaN

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資料識別:
A00017650
資料類型:
期刊論文
著作者:
莊賦祥(Juang, Fuh-shyang) 張守進(Chang, Shoou-jinn) 蘇炎坤(Su, Yan-kuin) 陳建助(Cheng, Chien-chu) 許進恭(Cheu, Jin-kon)
主題與關鍵字:
歐姆接觸 活性離子蝕刻 氮化鎵 歐傑光譜 原子力顯微鏡 Ohmic contacts Auger spectroscopy Gallium nitride Reactive ion beam etching Atomic force microscopy
描述:
來源期刊:Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering
卷期:7:3 民89.08
頁次:頁203-210
日期:
20000800
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

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