光化學濕式蝕刻法應用於氮化鎵晶片表面之研究
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- 資料識別：
- A01021786
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 洪榮木(Hong， R. M.) 林俊宏(Lin， C. H.) 陳世明(Chen， S. M.) 蔡文鋒(Tsai， W. F.)
- 主題與關鍵字：
- 氮化鎵 激光二極體 光化學濕式蝕刻 場效應掃瞄電子顯微鏡 蝕刻凹陷 蝕刻凹陷密度 GaN LED Photoelectro-chemical wet etching FESEM Etch-pit Etch-pit density EPD
- 描述：
- 來源期刊:永達學報
- 卷期:2:1 民90.04
- 頁次:頁1-7
- 日期：
- 20010400
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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