將「半邊無限電子氣體模型」擴充到第一階,並用以研究半導體-絕緣體介面之逆轉層電荷之量子修正效應

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資料識別:
A01020120
資料類型:
期刊論文
著作者:
李宗隆
主題與關鍵字:
一階半邊無限電子氣體模型 半邊無限電子氣體模型 半導體-絕緣體介面 逆轉層電荷 量子修正電荷 場致狀態密度 First-order semi-infinite electron gas Semi-infinite electron gas Fied-induced state density
描述:
來源期刊:國科會國家毫微米元件實驗室通訊
卷期:8:3 民90.08
頁次:頁18-27
日期:
20010800
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

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