Ultrafast Strain-Induced Electronic Transport in a GaAs p-n Junction Dio

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後設資料

資料識別:
A11011502
資料類型:
期刊論文
著作者:
Moss, D M Akimov, A V Campion, R P Kent, A J
描述:
來源期刊:Chinese Journal of Physics
卷期:49:1 2011.02[民100.02]
頁次:頁499-505
日期:
20110200
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

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