高介電絕緣層對先進金氧半場效應電晶體元件影響之研究

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資料識別:
A10039345
資料類型:
期刊論文
著作者:
李薰(Li, Hsun) 江孟學(Chiang, Meng-hsueh)
主題與關鍵字:
短通道效應 高介電絕緣層 閘極漏電流 Short-channel effects High-k gate dielectric Gate leakage current
描述:
來源期刊:宜蘭大學工程學刊
卷期:6 2010.03[民99.03]
頁次:頁65-73
日期:
20100300
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

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