Analytical Subthreshold Behavior Model for Symmetrical Tri-Material Gate Stack Double-Gate MOSFETs
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- 資料識別：
- A10024365
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 陳美利(Chen， Mei-li)
- 主題與關鍵字：
- 參材質堆疊雙閘極金氧半場效電晶體 熱載子效應 短通道臨界電壓衰變 短通道效應 Tri-material gate stack double gate MOSFET Hot-electron effects Threshold voltage degradation Short-channel effects
- 描述：
- 來源期刊:南臺科技大學學報
- 卷期:35:1 2010.05[民99.05]
- 頁次:頁39-49
- 日期：
- 20100500
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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