具奈米級氧化層金氧半(MOS)結構的光電特性

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資料識別:
A10020564
資料類型:
期刊論文
著作者:
黃俊達 楊國輝 張文澤 林俊宏 陳玉鴻
主題與關鍵字:
旋轉塗佈法 奈米二氧化矽薄膜 MOS元件 光暗電流比 Spin coating Nano silicon dioxide MOS Photo to dark current ratio
描述:
來源期刊:真空科技
卷期:22:2 2009.06[民98.06]
頁次:頁14-20
日期:
20090600
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

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