Challenges and Performance Limitations of High-k and Oxynitride Dielectrics Materials for Low Power CMOS Applications
推薦分享
資源連結
連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)後設資料
- 資料識別：
- A05010767
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 譚湘瑜(Tan， S. Y.) 劉宗慶(Liu， T. C.)
- 主題與關鍵字：
- 閘極絕緣體材料 低阻電源CMOS元件 Gate dielectric materials SiON HfSiON HfO[feaf] High-k Mobility Reliability Low power CMOS
- 描述：
- 來源期刊:華岡工程學報
- 卷期:19 民94.06
- 頁次:頁135-140
- 日期：
- 20050600
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
授權聯絡窗口
- 管理單位：知識服務組-期刊
聯絡E-mail：nclper@ncl.edu.tw
電話：02-23619132轉305
