An Analysis of Optimistic Model Parameter Concerned about N-Type Shallow Implantation Depletion Layer Width on the Breakdown Voltage of a Schottky Barrier Diode Fabri-Cated on P-Type Substrate
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- 資料識別：
- A02024847
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 黃亞麒(Huang， Ya-chi)
- 主題與關鍵字：
- 離子佈植 空乏層寬度 P型基片 蕭基能障二極體 崩潰電壓 游離係數 Ionization coefficient
- 描述：
- 來源期刊:黃埔學報
- 卷期:43 民91.09
- 頁次:頁321-340
- 日期：
- 20020900
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
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